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半导体器件散粒噪声

因半导体 PN结两端势垒区电压的变化而产生电荷量的变化，显示了该区域的电容效应。随着外加正向电压的增加，电子 N区和 P区的空穴向耗竭区移动，等同于对电容充电。正向电压减少时，又使电子和空穴远离耗尽区，等于电容放电。施加反向电压时，耗尽区变化方向相反。

在电流通过势垒区时，这种变化将使流过势垒区的电生微小的波动，从而产生电流噪声。它产生的噪声大小与温度、频带宽度△ f成比例。

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高频率热噪

高频率的热噪声是由导电体内电子运动不规律引起的。随着温度的升高，电子的运动越来越剧烈。导体间无规则的电子运动会使导体内部产生许多微小的电流波动，由于其运动规律，所以导体的平均总电流为零。

但是，当它作为一个元件(或作为电路的一部分)进入放大电路时，其内部的电流就会被放大成噪声源，尤其是对工作在高频频段的电路中的高频热噪声影响更大。

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目前，密苏里大学的工程研究组正在开发方法，提升压电感应功能。可以使用增强型传感器来改善航空性能，检测建筑物和桥梁结构的损坏，提高健康显示器的功

由机械与航空航天工程系的副教i授黄国良及其同事开发了一种新平台，通过放大它们的信号，使相同数目的传感器可以读取更多的数据，从而改进压电式传感器。这种新装置也使得更小的传感器覆盖更大的结构，更远的距离，从而降低了成本。

过去，生产方式的集中信号只包括电放大。”黄说。他说：“我们的技术采用的是机械和电气扩增的结合，克服了电放大的局限性。

这种新型传感平台可以“调谐”所使用的电信号，其中，当传感器连在电路板上时，能够捕i捉以前无法探测到的微弱信号。

黄先生说：“放大的波通过噪音传播。”他说：“这是一个演示如何使用自适应超材料改善弹性波感测功能的装置。它对发展高灵敏度传感器技术很有帮助。“

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什么是相噪声？

理想的正弦波信号在频域上表现为单谱线，除主信号外，还包括若干离散谱线，它们是随机的幅相和相位，在正常信号的左右两侧都是边带调制。信号在频域内全部不稳定度之和表现为载波两侧的噪声边带，边带噪声是与信号功率相关的噪声功率的间接测量指标。

边带噪声可表示为 FM边带噪声和 FM边带噪声。多数被相位噪声测试系统测量信号的边带功率与 FM边带功率相比都非常小，因此，对大多数信号测量的边带噪声都是调频边带噪声(即相位噪声也称单边带噪声)。

这是指在1 Hz带宽内，相位调制边的功率与信号总功率之比，单位为 dBc/Hz。边带噪声是信号/上带噪声的相位和幅值噪声的总和，通常当调幅噪声远小于相位噪声时(小于10 dB)，频谱仪上读出的边带噪声即为相噪声。

环境温度290 K时，基底噪声功率为-174 dBm/Hz。因为相位噪声和调幅噪声对热噪声的贡献相等，因此相位噪声的贡献为-177 dBm/Hz，比热噪声低3 dB。如较小的载波功率，如-20 dBm，则相位噪声仅i限于-157 dBc/Hz (-177 dBm/Hz-(-20 dBm))。下面的表格为载波功率和相位噪声的极限值对应表。